고출력 저전력 구동 및 우주 절약 S-, C- 및 L- 밴드를위한 라만 앰프 용 듀얼 포트 펌핑 광원을 성공적으로 개발했습니다
~ 공간 절약 광원을 개발하여 라만 앰프를 축소하는 데 기여합니다 ~

2023 년 9 월 29 일

  • 이전과 동일한 14 핀 나비 패키지를 사용하여 2 개의 광학 출력 포트를 갖춘 라만 앰프 용 듀얼 포트 펌프 광원을 개발했습니다
  • 고출력 펌프 광원의 공간 절약은 라만 증폭기를 축소하고 전체 시스템의 소형화에 기여합니다

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배경

통신 전송 속도가 증가함에 따라 신호 수신 측면에서 OSNR(주 1)의 악화로 인해 전송 거리가 단축되고, 특히 기존 통신 시스템을 사용하여 속도를 높이면 신호 광의 품질을 저하시키지 않고 광학 출력을 증폭시키기 위해 라만 앰프의 역할이 더욱 중요 해집니다 또한 고속 변속기가 신호의 파장 범위를 확장하기 때문에 파장 대역을 확장하여 대용량 전송을 수행해야하며, 여기 광원의 파장을 선택하여 신호 광원을 증폭시킬 수있는 라만 증폭기에는 높은 유연성이 필요합니다 반면에, 미래의 S-, C- 및 L- 밴드로의 밴드 확장을 고려할 때, 사용 된 펌핑 광원의 수는 증가하여 미래에 저렴한 고민하는 고출력, 고출력, 고출력, 고출력, 저전력 소비 소비 소비 소비 소비 소비 소비를 갖는 것이 더욱 중요합니다

내용

2022 년 10 월, 우리는 C- 대역 응용 프로그램에 대한 800MW 운영을 달성하고 저전력 소비를 위해 700MW S 대역 응용 프로그램과 500MW L 밴드 애플리케이션을 확장했으며 4 월부터 FRL1441U 시리즈의 파트로 샘플을 배송했습니다 FRL1441U 시리즈의 도입으로, S-, C- 및 L 밴드의 기존 라만 증폭기 펌핑 광원의 전력 소비는 37%감소했으며, 두 장치에서 이전에 사용한 두 개의 펌핑 광원을 교체함으로써 우주 절약을 달성 할 수 있습니다 공간을 더욱 줄이기 위해, 우리는 이전과 동일한 14 핀 나비 패키지를 사용하여 2 개의 광학 출력 포트를 갖춘 라만 앰프 용 듀얼 포트 펌핑 광원을 개발했습니다
모듈 개념은 그림 1에 나와 있습니다 두 가지 유형의 반도체 레이저 칩은 14 핀 버터 플라이 패키지에 배치되며 광학 커플 링 기술을 사용하여 광섬유에 광선이 집중됩니다
현재의 주요 출력 특성 (레이저 온도 : 35 ° C, 그림 2)에서 현재 주요 제품에 설치된 칩을 사용하여 프로토 타입, 500MW 출력, 수평 축은 두 포트의 총 구동 전류를 나타냅니다 수직 축은 두 포트의 총 섬유 출력을 나타냅니다 이 결과로부터 Fol1439R 시리즈에는 1W 출력이 있는데, 이는 하나의 모듈에서 2 개의 500mW 출력의 출력 인 것을 알 수 있습니다 또한 레이저 온도 : 35 ° C/케이스 온도 :
70도에서 두 포트의 총 광학 출력과 비교하여 두 포트의 총 전력 소비는 전체 두 포트의 광학 출력이 1W이고 전력 소비는 포트 당 75W이며, 50mw -output와 함께 Foll439R 시리즈의 전력 소비와 비교할 수있는 특성을 달성합니다 앞으로 출력 및 전력 소비를 더욱 증가시키기 위해 출력이 높고 전력 소비가 더 높은 레이저 칩을 계속 개발 하고이 제품의 성능을 더욱 향상시킬 것입니다
INP, 우리는이 제품의 25 년에 걸쳐 발달 한 것을 재배했습니다(주 2)광학 반도체 재료 유형을 사용한 광학 반도체 처리 기술 외에도 고유 한 고도의 고효율 반도체 레이저 장치 구조를 채택했습니다 (회사가 특허를 받음) 이 개발은 고출력 펌핑 광원 공간을 절약하여 라만 증폭기의 하락세를 초래합니다 또한, 라만 증폭기의 하향 조정으로 구성 요소의 수가 줄어들어 전체 시스템의 소형화에 기여합니다
이 제품은 ECOC 2023에서 1 일에 올해 10 월 영국 글래스고에서 개최 될 예정입니다 (ECOC 2023 :https : //ecoc2023theietorg/), 샘플은 2024 년 7 월부터 배송되며 2025 년 상반기에 대량 생산이 시작됩니다
또한,이 제품의 개발은 국립 정보 통신 기술 연구소 (NICT)가 의뢰 한 연구의 일환으로 "대역폭 잉글랜드 광학 노드 기술의 연구 및 개발에 대한 5G 초고속, 대형 용량 네트워크"(기본 문제 045)를 실현하고 결과의 일부로 수행되었습니다
우리는 저전력 소비와 높은 출력 레이저 칩 기술을 계속 개발하여 모듈의 저전력 소비를 가속화하고 환경 친화적 인 네트워크를 구축하는 데 기여할 것입니다

(주 1)OSNR (광학 신호 대 노이즈 비율) : 광학 신호 대 노이즈 비율을 나타내는 매개 변수

(주 2)INP (Indium Phosphide) : 레이저 다이오드 칩 및 고속 트랜지스터의 제조에 사용되는 III-V 반도체 유형

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