Furukawa Electric Industries, Ltd (본사 : 2-6-4 Otemachi, Chiyoda-Ku, Tokyo; CEO : Kobayashi Keiichi)는 업계에서 가장 높은 100mW DFB Laser Diode 칩을 개발했습니다

클라우드 서비스 및 5G와 같은 정보 및 커뮤니케이션 서비스의 확산으로 커뮤니케이션 트래픽이 계속 증가하고 있습니다 데이터 센터에서 강도 변조를 사용하는 광학 트랜시버는 널리 사용되었으며 최근 몇 년 동안 실리콘 광자 기술은 작은 크기, 높은 통합, 저전력 소비 및 저렴한 비용 측면에서 강력한 관점이었습니다^{(주 1)}| 널리 사용되며 많은 DFB 레이저 다이오드 칩은 단일 파장을 갖는 고출력 광원으로 설치됩니다
통신 트래픽이 증가함에 따라 광학 트래픽이 더욱 효율적이되었으며 기존의 전송 속도는 400Gbps이지만 800Gbps 이상의 속도에 대한 수요가 증가하고 있습니다 (그림 1) 이러한 전송 속도의 증가는 고속 강도 변조 동안 광 손실을 증가시키고 설치된 DFB 레이저 다이오드 칩의 경우 더 높은 전력 출력이 필요합니다 반면, 데이터 센터와 네트워크 기지국은 광학 트랜시버와 네트워크 장비에 사용되는 기타 재료를 사용하여 증가하고 있으며 에너지 소비의 증가는 사회적 문제가되고 있습니다

GAFAM과 같은 주요 IT 회사의 데이터 센터에 대한 강력한 투자를 배경으로, 우리 회사는 이전에 광학 송수신기 제조업체를 포함한 많은 고객에게 DFB 레이저 다이오드 칩을 제공했으며 세계적 수준의 높은 출력 특성 및 높은 신뢰성 기술에 대한 좋은 리뷰를 받았습니다
우리는 최근 몇 년 동안 회사를 재배 해 왔습니다^{참고 2}) 반도체 칩 기술을 사용하여 세계 최고 수준 인 100MW 고출력 DFB 레이저 다이오드 칩을 성공적으로 개발했습니다 (그림 2) 이를 통해 800Gbps 이상의 대용량 통신을 지원하는 고성능 광학 트래픽을 수용 할 수있는 고성능 광학 트래픽을 수용 할 수 있습니다 또한 고전력 DFB 레이저 다이오드 칩을 주요 장치로 사용하고 고성능 트랜시버를 실현함으로써 사용 된 광학 트랜시버의 수 증가를 줄이고 데이터 센터의 에너지 소비를 줄일 수 있습니다
이 제품은 9 월 19 일부터 22 일까지 스위스 바젤에서 개최 될 세계 최대의 국제 광학 기술 회의 (ECOC 2022)에서 전시 될 것입니다