Sasaki Hirokazu, Otomo Shinya, Minato Ryuichiro, Yoshida Junji
요약
전이 전자 현미경 기술 중 하나 인 전극 홀로 그래피 및 로렌츠 현미경은 GAAS (갈륨 비소)의 모델 샘플을 관찰하고 반도체 레이저를 분석하는 데 사용되었습니다 전자 빔 홀로 그래피 관찰에서, PN 접합뿐만 아니라 다른 도펀트 농도 영역도 1 × 1019및 1 × 10183콘텐츠 선택-3인터페이스 및 1 × 1018및 1 × 10173콘텐츠 선택-3의 인터페이스 관찰되었습니다 또한, 반도체 레이저의 분석의 예가 도입되어 이러한 방법이 실제로 사용됨을 입증했다
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