라만 앰프 용 듀얼 포트 펌프 레이저의 성능 향상
- 각 포트에서 500mw의 두 가지 다른 파장과 일관된 광학 출력 전력에서 작동을 확인했습니다 -
- 라만 앰프 용 듀얼 포트 펌프 레이저의 성능 향상
- 각 포트의 파장 및 광학 출력 전력을 자유롭게 선택할 수 있으므로 라만 앰프를 설계 할 때 유연성이 향상됩니다
- 미국에서 개최 될 OFC 2024에서 신제품을 전시하고 FY2025 상반기 동안 대량 생산을 시작할 계획입니다
토토 베이 Electric Co, Ltd
배경
최근에 일반 AI (인공 지능) 및 기계 학습이 나타난 후, 데이터 센터 및 기타 위치의 데이터 트래픽이 전 세계적으로 탐구되었으며 향후 더욱 성장할 것으로 예상됩니다 이 상황에 따라 통신 속도가 높아져야하지만 OSNR의 저하로 인한 전송 거리가 감소하는 문제가 있습니다(주 1)신호 수신 측에서 특히, 기존 통신 시스템이 더 빠른 속도로 사용될 때, 라만 앰프의 역할은 신호 광 품질의 감쇠없이 광학 출력 전원을 증폭시킬 수있는 라만 앰프의 역할이 점점 중요 해지고 있습니다 또한 고속 전송의 결과로 신호의 대역폭이 확장되므로 대량 전송을 가능하게하려면 대역폭을 확장해야합니다 즉, 라만 증폭기는 펌프 레이저 파장의 선택에 따라 재량 범위에서 광원을 증폭시킬 수있는 유연성을 가져야합니다 반면, 향후 S-, C- 및 L 대역으로의 확장을 고려하면 펌프 레이저의 수가 증가 할 것이므로 크기가 적고 출력 전력이 높고 전력 소비가 적을 수 있습니다
세부 사항
라만 증폭기 용 새로 개발 된 듀얼 포트 펌프 레이저는 각각의 포트에서 500MW의 일관된 광학 출력 전력 (그림 3)에서 작동을 확인했습니다 이러한 발전으로 두 포트의 파장 및 광학 출력 전력을 자유롭게 선택하여 라만 증폭기를 설계 할 때 유연성을 높일 수 있습니다 또한, 높은 출력 펌프 레이저의 더 작은 크기는 라만 증폭기 및 전체 시스템의 크기를 줄이는 데 기여합니다
Raman Amplifiers 용 듀얼 포트 펌프 레이저 (특허)에 대한 성공적인 발전은 INP를 사용한 높은 정확도 광섬유 커플 링 기술 및 광학 반도체 처리 기술을 사용합니다(주 2)지난 25 년 동안 개발 된 반도체 재료뿐만 아니라 고유 한 저 손실, 고효율 반도체 레이저 칩 구조의 적용
우리는 2024 년 3 월 26-28 일 샌디에고 (OFS Fitel, LLC 부스; 부스 번호 2041)에서 개최 될 OFC 2024 에서이 신제품을 전시 할 것입니다 또한 2024 년 7 월부터 배송 샘플을 시작하고 FY2025 상반기 동안 대량 생산을 시작할 계획입니다
1토토 베이 Electric의 디지털 변환
앞으로, 우리는 계속해서 높은 출력, 저전력 소비 레이저 칩 기술을 개발하고 모듈 전력 소비 감소와 환경 친화적 인 네트워크의 확립에 기여할 것입니다
(주 1)OSNR (광학 신호 대 노이즈 비율) : 신호 대 잡음비를 나타내는 매개 변수
(주 2)INP (Indium Phosphide) : 레이저 다이오드 칩 및 고속 트랜지스터의 제조에 사용되는 III-V 화합물 반도체
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토토 베이 Electric Group의 SDG에 대한 노력
유엔이 채택한“SDGS (Sustainable Development Ovent) (SDGS) "에 근거하여 토토 베이 Electric Group은 2030 년을 목표로 설정하고“지속 가능한 세계를 구축하고 사람들의 생명을 위해 생명을 유지하고 평화 롭고 보상을 제공하는 목표를 달성하기위한 노력을 발전시키는“토토 베이 Electric Group Vision 2030”을 공식화했습니다 정보, 에너지 및 이동성을 결합한 인프라 " 비전 2030의 성취를 위해, 우리는 중기에서 장기적으로 기업 가치를 높이고 SDGS의 성취에 기여할 ESG 관리를 촉진하기위한 개방적이고 민첩하며 혁신적인 접근 방식을 취할 것입니다