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1조달 정책 / 책임있는 광물 소싱 정책
강도 변조 광학 트랜시버는 데이터 센터에서 광범위하게 사용됩니다. 최근 몇 년 동안 실리콘 광자 기술에 대한 초점이 증가했습니다^{(주 1)}는 작은 크기, 높은 통합, 저전력 소비 및 DFB 레이저 다이오드 칩 측면에서 장점이 있습니다. 종종 높은 출력, 단일 파장 광원으로 채택됩니다.
이 추세 내에서, 더 높은 전송 속도에서 고속 강도 변조 중에 광 손실이 증가하기 때문에, 동등한 DFB 레이저 다이오드 칩은 더 높은 출력을 가져야한다. 그러나 동시에 광 송신기 및 기타 장치의 사용이 증가하면 데이터 센터 및 네트워크 기지국에서 에너지 사용이 증가하는 문제가 발생합니다.

INP 사용 (Indium Phosphide,^{(참고 2)}) 반도체 칩 기술 경험은 수년에 걸쳐 축적 된 100MW의 높은 출력 전력을 갖춘 DFB 레이저 다이오드 칩을 개발했습니다. 2022 년 9 월 세계에서 가장 높은 출력 중 하나 (그림 2) 2024 년 9 월에 대량 생산을 시작할 것입니다.이 칩의 효율성이 16%로 향상됩니다. 3). 결과적 으로이 칩은 800Gbps를 초과하는 대량 통신을위한 고성능 광학 트랜시버에 사용될 것으로 예상되며 데이터 센터에서 에너지 사용을 줄입니다.
우리는 10 월 2-4 일 영국 글래스고에서 개최 될 ECOC 2023 에서이 칩을 전시 할 계획입니다. (Fitel-Furukawa 전기 유럽, 부스 #230, ECOC 2023 :https : //ecoc2023.theiet.org/)
Research는 레이저 비즈니스의 주요 회사로서 고성능 반도체 레이저 광원을 계속 개발하고 상용화 할 예정이며, 우리는 광학 커뮤니케이션의 발전을 통해 진정으로 번영하고 지속 가능한 사회를 실현하는 데 기여할 것입니다.

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